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Wirkung hochenergetischer Strahlung auf Halbleiterbauelemente
Buch
Buch
Fachbuch
1989

Wirkung hochenergetischer Strahlung auf Halbleiterbauelemente

ISBN
EAN
978-3-540-50891-5
9783540508915
Artikel-Nr.
WW248ZV
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30.12.2021
speech-bubble-svg Beschreibung
Mit dem rasch wachsenden Integrationsgrad mikroelektronischer Schaltungen steigt der mögliche Schaden durch hochenergetische Strahlung, insbesondere im Einsatzbereich von Luft- und Raumfahrttechnik, aber auch bei Kernreaktoren, in der Materialforschung und in der medizinischen Diagnostik und Therapie. Das Buch liefert eine fundierte Einführung, die von den physikalischen Grundlagen der Wechselwirkung von Strahlung mit Materie, über die Erklärung von Schädigungsmechanismen bis hin zur Beschreibung von Strahlungsempfindlichkeit reicht. Der starke Einfluß der verwendeten Technologie wird ebenso behandelt wie die Möglichkeit der Abschirmung und der Einfluß von Strukturverkleinerungen auf die Strahlensensibiltät.
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integrierte Schaltung
Zielgruppe
Research
Inhaltsverzeichnis
1 Einführung.- 2 Wechselwirkung (WW) zwischen Strahlung und Materie.- 2.1 Vorbemerkungen.- 2.2 Photonen.- 2.2.1 Photoelektrischer Effekt.- 2.2.2 Compton-Effekt.- 2.2.3 Paar-Erzeugung.- 2.2.4 Totaler Massenschwächungskoeffizient.- 2.2.5 Mischstoffe.- 2.3 Elektronen.- 2.3.1 Vorbemerkungen.- 2.3.2 Stoßgesetze.- 2.3.3 Coulomb-Wechselwirkung.- 2.3.4 Reichweite.- 2.4 Protonen und schwere Ionen.- 2.4.1 Vorbemerkungen.- 2.4.2 Bremsvermögen.- 2.4.3 Reichweite.- 2.5 Neutronen.- 3 Schädigungsmechanismen im Silizium und Siliziumdioxid.- 3.1 Vorbemerkungen.- 3.2 Permanente Defekte im Silizium.- 3.3 Transiente Defekte im Silizium.- 3.4 Siliziumdioxid: Defekte im Volumen und an der Phasengrenze.- 4 Bauelementbezogene Schädigung.- 4.1 Vorbemerkungen.- 4.2 Permanente Schädigung in bipolaren und MOS Transistoren.- 4.3 Auswirkungen auf integrierte Schaltungen in Beispielen.- 4.3.1 Random access memories (RAM).- 4.3.2 Operations-Verstärker.- 4.3.3 Analog-Schalter.- 4.3.4 Multiplizierer.- 4.3.5 Digitale Integrierte Schaltkreise.- 4.4 Lokalisierte Schädigungsereignisse.- 4.4.1 Vorbemerkungen.- 4.4.2 Ladungs-Sammlung.- 4.4.3 Strahlung im Weltraum.- 4.4.4 Experimente zur Bestimmung der kritischen Ladung und des Einfangquerschnittes.- 4.4.5 Beispiele für Upset-Mechanismen.- 4.5 Degradation, Härtung und Miniaturisierung.- 5 Bestrahlungstests und Schädigungsvorhersage.- 5.1 Vorbemerkungen.- 5.2 Bestrahlungsquellen.- 5.3 Abschirmung.- 5.4 Bestimmung der Funktionssicherheit.- 6 Literatur.- 7. Sachverzeichnis.
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Herausgeber/-in
Publikation
Deutschland
07.08.1989
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Sprache
Deutsch
book-svg Format
Softcover
196 Seiten
24 cm
(Höhe)
17 cm
(Breite)
1.1 cm
(Tiefe)
375 g
(Gewicht)
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