ADATA SSD Flash Legend 960 M.2 2280 NVMe 2000 GB

M. 2 2280 Solid State-Laufwerk mit 2000 GB und AES 256-Bit-Verschlüsselung

• M.2 2280-SSD, 2000 GB, PCI-Express x4 NVMe
• Bauhöhe: 3.13 mm
• Speicherverschlüsselung: 256-Bit-AES
• NAND Flash: 3D NAND
• Lesegeschwindigkeit max.: 7400 MB/s, Schreibgeschwindigkeit max.: 6800 MB/s
• Fortschrittliche LDPC ECC-Technologie

Die Adata Legend 960 M.2 SSD ist eine leistungsstarke und zuverlässige Festplatte, die perfekt für Gamer und PC-Enthusiasten geeignet ist. Dank der PCIe Gen4 x4-Schnittstelle bietet die SSD eine beeindruckende Geschwindigkeit von bis zu 7400 MB/s beim Lesen und 6800 MB/s beim Schreiben. Zusätzlich sorgt die NVMe 1.4-Unterstützung für eine verbesserte Zuverlässigkeit und Leistung. Die Festplatte verfügt über ein robustes Metallgehäuse, das vor Beschädigungen geschützt ist, sowie einen integrierten Kühlkörper aus Aluminium, der die Wärmeentwicklung effektiv reduziert.

Hohe Geschwindigkeit dank direkter PCIe-Anbindung

Bei dieser SSD werden die Daten mit PCI-Express übertragen, wodurch sie herkömmliche SATA-SSDs in puncto Übertragungsrate weit im Schatten stehen lässt. M.2-SSDs werden via dem M.2-Sockel am Mainboard installiert. Sie eignen sich aufgrund der kompakten Abmessungen besonders für den Einsatz in Ultrabooks und Mini-PCs, können aber auch in normalen Computern verwendet werden.

NVMe-Protokoll für weniger Latenzen

In Systemen mit NVMe-Unterstützung glänzt diese SSD besonders. Sie profitieren von einem hohen Durchsatz, hoher IOPS und einer geringen Latenz. Im Gegensatz zu dem älteren AHCI-Protokoll, das für herkömmliche, sich drehende Laufwerke entwickelt wurde, verhindert NVMe Leistungsabfälle, bietet eine schnellere Übertragung grosser Datenmengen, erhöhte Boot-Geschwindigkeiten und eine verbesserte System-Reaktionszeit.

3D-NAND Flashspeicher

Bei 3D-NAND (auch V-NAND oder 3D V-NAND gennant) stehen die Transistoren vertikal zur Chipfläche und die Flash-Speicherzeillen werden in Schichten übereinander angeordnet. Dadurch erreicht man eine höhere Speicherdichte und reduziert gleichzeitig das Risiko von Interferenzen zwischen den Zellen. Dank der verkürzten Verbindungen zwischen den Zellen steigt die elektrische Leistung, darüber hinaus sinkt in Folge dessen der Stromverbrauch.