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SSD: Intern
WD Black SSD Black SN850 NAND M.2 2280 NVMe 1000 GB
NVMe, M.2 2280, 7000MB/s (l), 5300MB/s (s)
Speicherkapazität total: 1000 GB
Speicherschnittstelle: PCI-Express x4
SSD Bauhöhe: 2.23 mm
SSD Formfaktor: M.2 2280
Anwendungsbereich SSD: Consumer
5 Jahre
Garantie
Hersteller:
WD Black Hersteller-Artikel-Nr.: WDS100T1X0E
Unsere-Artikel-Nr.: 6ZV3KY5LA
EAN: 718037875934
Ausverkauft
Beschreibung
SSD WD Black SN850 NAND, 1000 GB, M.2 2280
Bereiten Sie sich auf die nächste Evolution der Geschwindigkeit mit der WD_BLACK SN850 NVMe SSD vor, die Ihnen höchste PCIe Gen4-Technologie für Ihren PC oder Laptop bietet, damit Sie bei der nächsten Generation von Spielen nicht ins Hintertreffen geraten.
Richtig schnell
Die WD_BLACK SN850 NVMe SSD erreicht irrationale 7000 MB/s Lesegeschwindigkeit und 5300 MB/s Schreibgeschwindigkeit , damit Sie schneller einsteigen können, mit bis zu 1.000.000 IOPS für ein flüssiges, reaktionsschnelles und leistungsstarkes Spielerlebnis.
Hohe Geschwindigkeit dank direkter PCIe-Anbindung
Bei dieser SSD werden die Daten mit PCI-Express übertragen, wodurch sie herkömmliche SATA-SSDs in puncto Übertragungsrate weit im Schatten stehen lässt. M.2-SSDs werden via dem M.2-Sockel am Mainboard installiert. Sie eignen sich aufgrund der kompakten Abmessungen besonders für den Einsatz in Ultrabooks und Mini-PCs, können aber auch in normalen Computern verwendet werden.
NVMe-Protokoll für weniger Latenzen
In Systemen mit NVMe-Unterstützung glänzt diese SSD besonders. Sie profitieren von einem hohen Durchsatz, hoher IOPS und einer geringen Latenz. Im Gegensatz zu dem älteren AHCI-Protokoll, das für herkömmliche, sich drehende Laufwerke entwickelt wurde, verhindert NVMe Leistungsabfälle, bietet eine schnellere Übertragung grosser Datenmengen, erhöhte Boot-Geschwindigkeiten und eine verbesserte System-Reaktionszeit.
3D-NAND Flashspeicher
Bei 3D-NAND (auch V-NAND oder 3D V-NAND gennant) stehen die Transistoren vertikal zur Chipfläche und die Flash-Speicherzeillen werden in Schichten übereinander angeordnet. Dadurch erreicht man eine höhere Speicherdichte und reduziert gleichzeitig das Risiko von Interferenzen zwischen den Zellen. Dank der verkürzten Verbindungen zwischen den Zellen steigt die elektrische Leistung, darüber hinaus sinkt in Folge dessen der Stromverbrauch.
- M.2 2280-SSD, 1000 GB, PCI-Express x4 NVMe
- Bauhöhe: 2.23 mm
- NAND Flash: 3D NAND
- Lesegeschwindigkeit max.: 7000 MB/s, Schreibgeschwindigkeit max.: 5300 MB/s
Bereiten Sie sich auf die nächste Evolution der Geschwindigkeit mit der WD_BLACK SN850 NVMe SSD vor, die Ihnen höchste PCIe Gen4-Technologie für Ihren PC oder Laptop bietet, damit Sie bei der nächsten Generation von Spielen nicht ins Hintertreffen geraten.
Richtig schnell
Die WD_BLACK SN850 NVMe SSD erreicht irrationale 7000 MB/s Lesegeschwindigkeit und 5300 MB/s Schreibgeschwindigkeit , damit Sie schneller einsteigen können, mit bis zu 1.000.000 IOPS für ein flüssiges, reaktionsschnelles und leistungsstarkes Spielerlebnis.
Hohe Geschwindigkeit dank direkter PCIe-Anbindung
Bei dieser SSD werden die Daten mit PCI-Express übertragen, wodurch sie herkömmliche SATA-SSDs in puncto Übertragungsrate weit im Schatten stehen lässt. M.2-SSDs werden via dem M.2-Sockel am Mainboard installiert. Sie eignen sich aufgrund der kompakten Abmessungen besonders für den Einsatz in Ultrabooks und Mini-PCs, können aber auch in normalen Computern verwendet werden.
NVMe-Protokoll für weniger Latenzen
In Systemen mit NVMe-Unterstützung glänzt diese SSD besonders. Sie profitieren von einem hohen Durchsatz, hoher IOPS und einer geringen Latenz. Im Gegensatz zu dem älteren AHCI-Protokoll, das für herkömmliche, sich drehende Laufwerke entwickelt wurde, verhindert NVMe Leistungsabfälle, bietet eine schnellere Übertragung grosser Datenmengen, erhöhte Boot-Geschwindigkeiten und eine verbesserte System-Reaktionszeit.
3D-NAND Flashspeicher
Bei 3D-NAND (auch V-NAND oder 3D V-NAND gennant) stehen die Transistoren vertikal zur Chipfläche und die Flash-Speicherzeillen werden in Schichten übereinander angeordnet. Dadurch erreicht man eine höhere Speicherdichte und reduziert gleichzeitig das Risiko von Interferenzen zwischen den Zellen. Dank der verkürzten Verbindungen zwischen den Zellen steigt die elektrische Leistung, darüber hinaus sinkt in Folge dessen der Stromverbrauch.
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